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项目编号
 GDKJ_793
项目名称：
 双离子束共溅射纳米薄膜设备
项目类型：
 科技成果
融资金额：
 300万元/人民币
所属行业：
 电子、电工
所在地区：
 广东
发布时间：
 2004-9-1
项目合作方式：
项目合作年限：
项目效益：
联系人：
 雷先生
联系电话：
 13707485581
联系地址：
邮政编码：
传真：
电子邮件：
 [email protected]
访问次数：
 73
详细描述：
 双离子束共溅射纳米薄膜设备简介离子束淀积薄膜设备是采用多离子束轰击（或共轰击）靶材以动能转换搬迁靶材原子新技术，将靶材原子逸出来并以纳米级晶粒尺寸的粒子有序淀积形成厚度为几纳米至几微米的纳米粒子的薄膜。获得大面积（Φ250mm）内非均匀性为±2% ~ ±5%的致密、平整光洁、无污染、内应力小、几乎无缺陷的优质薄膜。广泛用于薄膜材料科学研究、微电子机械二维、三维加工技术研究和各种微电子器件的开发、生产和应用。它与真空蒸发、等离子体溅射（直流、高频磁控溅射）等设备相比具有独特的优点，是当前和未来获得高质量的单质、合金、绝缘介质的单层和多层薄膜的最有前途的薄膜淀积设备。设备的应用领域? 用于制备集成电路中的高温合金导体薄膜，贵重金属薄膜等。? 用于制备力敏、温敏、气温、磁敏、湿敏等薄膜传感器用的纳米和微米薄膜。? 用于制备光电子器件和金属异质结结构器件、太阳能电池、声表面波器件、 高温超导器件等所使用的薄膜。? 用于制备磁性器件、磁光波导、磁存贮器等磁性薄膜。? 用于制备高质量的光学薄膜，特别是激光高损伤阈值窗口薄膜、各种高反射率、高透射率薄膜等。? 用于制备薄膜集成电路和MEMS系统中的各种薄膜以及材料改性中的各种薄膜。? 用于其它高质量薄膜制备。该设备已在我国863项目和其它许多重大科研项目中发挥了重大作用，主要有航空、航天、军工、科研单位、高校、企业等用户使用。现优价转让该项专利技术或合资合作，详细资料欢迎索阅（[email protected]）。
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